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元件参数资料
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参数目录33049
> MUN5312DW1T1G TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT-363
型号:
MUN5312DW1T1G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
ON Semiconductor
描述:
TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT-363
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
MUN5312DW1T1G PDF
产品变化通告
Wire Change 08/Jun/2009
标准包装
1
系列
-
晶体管类型
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧)
22k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧)
22k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
60 @ 5mA,10V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
250mV @ 300µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大)
500nA
频率 - 转换
-
功率 - 最大
250mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装
SOT-363
包装
标准包装
其它名称
MUN5312DW1T1GOSDKR
查看MUN5312DW1T1G代理商
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